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產(chǎn)品與方案

提供包括封裝設(shè)計(jì)、封裝、測試、可靠性驗(yàn)證等成套封測方案

SGT MOSFET

HYG013N03LS1C2

HYG013N03LS1C2

此器件為N 溝道、30V耐壓、1.3mΩ內(nèi)阻、PDFN8L(5x6)封裝產(chǎn)品,芯片采用SGT工藝設(shè)計(jì),該器件適合高頻應(yīng)用,可滿足如AC-DC同步整流,電機(jī)驅(qū)動(dòng),高頻DC-DC轉(zhuǎn)換/無人機(jī)電調(diào)/等應(yīng)用領(lǐng)域。

特性

低內(nèi)阻      

優(yōu)異的Qg

低FOM

低輸入電容

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)                   

100% DVDS測試

100% UIL測試                    

提升系統(tǒng)效率

領(lǐng)先的封裝工藝 



優(yōu)勢

通態(tài)損耗小    

抗沖擊能力強(qiáng)   

優(yōu)異的導(dǎo)熱及散熱性能力 

高可靠性

高功率密度  

穩(wěn)定的工藝能力    

驅(qū)動(dòng)損耗低



應(yīng)用

鋰電池保護(hù)板

電動(dòng)工具

DC-DC

同步整流

HYG013N03LS1C2

模型

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